一款超高压LDMOS管的物理建模

• 作者: 易志飞 汪维勇 沈伟星 程东方
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 宏模型 准饱和效应 物理模型
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 538-541
• 分类号: TN402
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.006

摘要

借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTIII,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等.所得结论与实测结果基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程东方	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	18	112	6.0	10.0
2	汪维勇	上海大学微电子研发中心	1	1	1.0	1.0
3	易志飞	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	沈伟星	上海大学微电子研发中心	8	21	3.0	4.0