ICP腔体压力对直流偏压的影响

• 作者: 周俊 幺锦强 张力江 王敬松
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体 直流偏压 腔体压力 干法刻蚀 砷化镓刻蚀
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 794-796
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.013

摘要

基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况.发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当低于该腔体压力时直流偏压会随腔体压力的增大而增加,当高于该腔体压力后直流偏压会随着腔体压力的增加而缓慢减小.讨论了产生这种现象的原因,揭示了其中的物理机理,以该方法作为参考,通过一组对比实验在工艺中得到验证,给出了GaAs刻蚀的工艺条件,为刻蚀工艺条件的优化提供了一个参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张力江		2	13	2.0	2.0
2	幺锦强		1	3	1.0	1.0
3	周俊		1	3	1.0	1.0
4	王敬松		1	3	1.0	1.0