SiC MESFET反向截止漏电流的研究

• 作者: 崔现锋 潘宏菽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体管 氧化 低压化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 784-786
• 分类号: TN386.3
• 字数: 1843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.010

摘要

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽		7	38	4.0	6.0
2	崔现锋		3	10	2.0	3.0