SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 孙增标 张研 闫宝华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 SiO_2/CeO_2混合磨料 去除速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 72-74
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.017

摘要

在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响.把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO_2/CeO_2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子技术与材料研究所	20	133	8.0	10.0
3	孙增标	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	23	2.0	2.0
4	闫宝华	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	23	2.0	2.0
5	张研	河北工业大学微电子技术与材料研究所	5	36	3.0	5.0