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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 181. (Li,Mg):ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征
    作者： 刘春娟 刘肃 张彩珍 王永顺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  684-686
    摘要： 利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)...
  • 182. 三层金属磁控溅射复合膜的XRD应力分析
    作者： 崔严匀 李金华 黎磊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  687-690
    摘要： 用磁控溅射方法沉积制备的Ag/Ti-W/Ni-Cr三层复合电极薄膜上的Ag膜在工艺中容易脱落,而SiO2衬底上的Ag膜则具有良好的粘附性能.X射线衍射方法常用来检测薄膜中的应力,用X射线衍射...
  • 183. ENIG焊点的失效机理及镀层重工方法研究
    作者： 周斌 邱宝军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  691-694,698
    摘要： 采用显微形貌、微观结构和元素成分分析等物理分析方法,以不同类型的化镍浸金(electroless nickel/immersion gold,ENIG)基板为对象,分析了其焊点在不同情形下的...
  • 184. GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究
    作者： 李用兵 江西元 王长河 田国强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  695-698
    摘要： 介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方渡,研究了器件在静态时的损伤阈值.根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发...
  • 185. 基于FPGA的芯片功能性验证自动化实现
    作者： 张晓鹏 彭彬 段哲民 秦勤 马裕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  699-702
    摘要： 针对传统半导体设计流程中对MCU芯片进行功能性验证时涉及到多个芯片之间的互联,手工操作连接十分烦琐且易出现错误,介绍了一种基于FPGA的MCU引脚自动互联的设计与实现.介绍了MCU模块功能性...
  • 186. FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用
    作者： 刘抒 叶景良 辛娟娟 韦旎妮 黄红伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  703-705,731
    摘要： 在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节.光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一.PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷.而聚焦等离子束(...
  • 187. CaO-SiO2-B2O3基板材料制备的研究
    作者： 张丽华 金华江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  706-709
    摘要： 研究高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2与溶胶凝胶法(sol-gel)法制备的CaO-B2O3-SiO2按不同比例制备的复相陶瓷,在850℃烧结温度下的晶相组成、微观结构、烧结性能、介...
  • 188. 多层空气隙Cu互连结构耦合电容的优化
    作者： 姚一杰 汪辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  710-714
    摘要： 随着超大规模集成电路特征尺寸不断缩小,多层cu互连之间的RC延迟成为一个越来越严重的问题.由于低介电常数(low-k)材料配合空气隙(air gap)结构可用于降低Cu互连导线间的耦合电容从...
  • 189. MEMS结构在BOE中释放时气泡的产生与预防
    作者： 张宝顺 桑新文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  715-718
    摘要： 微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述...
  • 190. 嵌入式图像实时采集系统设计
    作者： 姚娅川
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  719-722
    摘要： 利用嵌入式芯片构成图像采集系统,实现了图像采集的实时性、连续性和高分辨率.该系统采用CMOS图像传感器芯片,将采集到的图像信号经过一系列处理并输出,通过嵌入式芯片S3C2440接收图像传感器...
  • 191. 一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计
    作者： 刘海南 周玉梅 高雷声
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  723-726
    摘要： 提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给.该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流.误差放大器采用折叠共源...
  • 192. 10 bit 40 MS/s流水线模数转换器的研制
    作者： 卫宝跃 周玉梅 陈利杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  727-731
    摘要： 设计了一种10 bit 40 MS/s流水线模数转换器.通过采用自举开关和增益提升的套筒式共源共栅运放,保证了采样保持电路和级电路的性能.该模数转换器采用TSMC 0.35 p.m CMOS...
  • 193. D类音频功放的自动增益控制系统
    作者： 周长胜 许程成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  732-735
    摘要： 设计实现了一种用于D类音频功率放大器中的自动增益控制系统,通过自动调整D类功放的增益,增大了D类音频功放的输入信号范围,避免了削波失真,使得D类音频功放能够在较宽信号输入范围内保持良好的总谐...
  • 194. 一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计
    作者： 史琳 王好德 王永顺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  736-739
    摘要： 传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值.主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带...
  • 195. L波段六位数字移相器设计
    作者： 唐文圣 敬守钊 王韧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  740-743
    摘要： 利用对均匀传输线加载电纳可以改变其传输特性的原理设计了一个L波段六位色散数字移相器.借助ADS软件及25.D仿真器Momentum,建立PIN二极管的SPICE模型,使用Au丝测试得的S参数...
  • 196. 飞思卡尔推出符合PSI5标准的汽车气囊系统产品
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  744-745
    摘要：
  • 197. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年7期
    页码:  746-748
    摘要：
  • 198. 美、日、欧宽带隙半导体技术发展研究
    作者： 陈海明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  749-752,756
    摘要： 美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展,这些飞速发展已经证实宽带隙半导体是当之无愧的新一代半导体材料,并将替代Si和GaAs应用于...
  • 199. 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析
    作者： 刘玉岭 刘金玉 穆会来 项霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  753-756
    摘要： 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光...
  • 200. 计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究
    作者： 司马能 屠锡富 布乃敬 藏松涛 袁国兴 雷红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  757-760
    摘要： 目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低.采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系...
  • 201. 低压力Cu布线CMP速率的研究
    作者： 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 李晖 王辰伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  761-763,767
    摘要： 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势.由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战.通过对...
  • 202. 多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究
    作者： 刘春香 杨洪星 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  764-767
    摘要： 对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究.Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式.酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶...
  • 203. 超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术
    作者： 刘春香 吕菲 张伟才 杨洪星 王云彪 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  768-771,786
    摘要： Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注.介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法.研究了加工工艺对超薄G...
  • 204. 晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究
    作者： 张维佳 李晶晶 杨保和 熊瑛 申研
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  772-774
    摘要： 采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果...
  • 205. 单光子雪崩二极管探测系统测试与设计分析
    作者： 周扬 白宗杰 陈世军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  775-779
    摘要： 随着在弱光探测量子通讯领域研究的深入,光子探测逐渐成为国内外研究的热点.基于Si单光子雪崩光电二极管探测系统,介绍了系统相关性能参数以及相应的测试方法,对主要结构、性能指标和外界环境条件进行...
  • 206. GaAs大功率器件内匹配技术研究
    作者： 邱旭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  780-783
    摘要： 介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等.以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用.通过大信号建模获得大...
  • 207. SiC MESFET反向截止漏电流的研究
    作者： 崔现锋 潘宏菽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  784-786
    摘要： 给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止...
  • 208. 无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错
    作者： 刘云霞 周旗钢 孙燕 曹孜 李惠 石宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  787-790
    摘要： Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件.介绍了采用环保...
  • 209. RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究
    作者： 何自强 周旗钢 柳伟达
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  791-793,822
    摘要： 利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层.通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速...
  • 210. ICP腔体压力对直流偏压的影响
    作者： 周俊 幺锦强 张力江 王敬松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  794-796
    摘要： 基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况.发现在各种不同的...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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