GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究

• 作者: 李用兵 江西元 王长河 田国强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 电磁脉冲 毁伤机理 低噪声器件 阈值
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 695-698
• 分类号: TN406
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.021

摘要

介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方渡,研究了器件在静态时的损伤阈值.根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理.通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义.GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ.在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ.初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王长河	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	36	4.0	5.0
2	李用兵	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	25	3.0	5.0
3	江西元	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	8	2.0	2.0
4	田国强	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	6	1.0	2.0