半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 付兴昌 冯志红 宋建博 崔玉兴 张志国 李静强 王民娟 秘瑕 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1024-1027
    摘要: 使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响.仿真结果表...
  • 作者: 刘成鹏 刘英坤 贾长友
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1028-1030,1038
    摘要: 从双极型晶体管Gummel-Poon模型出发,综合考虑晶体管的器件结构、工作状态和参数提取条件等完成参数提取,运用优化算法对提取参数进行局部和全局优化,给出了得到的GP模型参数值.以此为基础...
  • 作者: 刘源 徐文杰 王新安
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1031-1034
    摘要: 介绍了一种适用于高速高精度流水线模数转换器(ADC)的放大器.该放大器使用了增益提升技术,具有高增益、高单位增益带宽的特点,能满足高速高精度ADC对放大器的性能要求.该放大器采用1.8 V ...
  • 作者: 李宏军 白银超 要志宏 赵梁博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1035-1038
    摘要: 介绍了一种悬置带线超宽带高通滤波器.该滤波器采用了悬置带线结构,可以提供很高的Q值,减小了滤波器的插入损耗,具有极好的矩形度.这种结构还提供了双面电路,制作成宽边耦合线,可以解决微带线的边缘...
  • 作者: 张洵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1039-1042
    摘要: 提出了一种轨到轨电压输入、电流输出的高斯函数产生电路的实现方式,它是模糊控制器以及神经网络等电路中的重要部件.通过在传统的高斯函数产生电路的输入级引入PMOS和NMOS差分对,并针对不同输入...
  • 作者: 刘文明 刘胜 陈明祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1049-1053
    摘要: 随着半导体技术的发展,封装集成度不断提高,迫切需要发展一种低温封装与键合技术,满足热敏器件封装和热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合需求.针对现有整体加热封装技术的不足,首先介绍了局部加...
  • 作者: 刘海龙 李国元 杨少华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1054-1058,1098
    摘要: 堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装.首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析.研究了吸湿膨胀引入的...
  • 作者: 李国元 胡俊 郑钢涛 陈素鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1059-1063,1129
    摘要: 芯片粘贴焊料层是功率器件导热和导电的主要通道,虽然它一般只有几十微米厚,但是却在很大程度上影响着器件的性能和可靠性.采用了高低温冲击的方法对功率器件进行老化,分析器件焊料层空洞面积的改变对器...
  • 作者: 刘玉岭 刘金玉 边娜 项霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1064-1066,1082
    摘要: 蓝宝石晶体已经成为现代工业,尤其是微电子及光电子产业极为重要的衬底材料,提高其化学机械抛光效率是业界无法回避的问题.在CMP系统中,磨料是决定去除速率及表面状态的重要因素.分析了化学机械抛光...
  • 作者: 吴志军 张培 王加贤 王燕飞 郭亨群
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1067-1070
    摘要: 采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/siO2薄膜材料.采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐...
  • 作者: 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 李晖 胡轶
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1071-1074
    摘要: 在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素.采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯...
  • 作者: 吴甲奇 季静佳 席曦 张松 李文佳 李果华 顾晓峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1075-1077,1125
    摘要: 基于目前采用的膜厚仪中缺少必要的有机材料的参数(密度和声阻抗),采用真空蒸镀法,在抛光硅片上蒸镀不同显示值厚度下的酞菁铜薄膜,利用椭偏仪测量其真实膜厚,并使用数学软件MATLAB,结合膜厚仪...
  • 作者: 丁伯继 崔建 徐敏杰 杨建红 王旭 蔡雪原
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1078-1082
    摘要: 针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺.利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工...
  • 作者: 何国君 孙新利 李巨晓 王飞尧
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1083-1086
    摘要: 晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象.晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱.这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对...
  • 作者: 张春丽 陈素华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1087-1090
    摘要: 对SiC表面进行传统湿法清洗之后,采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体系统在200℃低温条件下对SiC表面进行了氢等离子体处理,对处理前后的SiC样品表面分别做了反射高能电子衍射(RHEED...
  • 作者: 吴玉香 张和颖 胡跃明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1091-1094,1115
    摘要: 芯片图像分割是上芯机机器视觉系统进行图像处理的重要环节,分割效果直接影响下一步芯片信息的提取.采用遗传算法对BP神经网络的权值和阈值进行优化,避免网络陷入局部最优,使其在全局范围内获得最优解...
  • 作者: 刘红兵 李伟 韩建栋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1095-1098
    摘要: 微波组件具有频率高、波长短和内部元器件密度高的特点.盒体材料一般使用铝合金,因此容易受到湿气的影响.常见湿气故障可以分为内部故障和外部故障,也可以分为永久性故障和暂时性故障.针对环境试验中遇...
  • 作者: 宋玉玺 李巍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1099-1101
    摘要: 有些外形较小或内腔腔体体积较小并且检漏合格的电子产品,进行水汽含量测定时有时会出现样品水汽含量超标现象.为证明现行国家标准中粗检漏试验方法(高温氟油加压检漏法)会对产品出现误判的问题,通过一...
  • 作者: 佟丽英 史继祥 张继荣 戚红英 李亚帅 王俭峰 邢友翠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1102-1105
    摘要: 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小.电阻率越低,少数载流子寿命越小,...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1105,1144
    摘要:
  • 作者: 刘永刚 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1106-1110
    摘要: 提出了一种覆盖S/U双波段的小数分频锁相环型频率合成器.该频率合成器采用一种新型多模分频器,与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定速度快、工作频率高和频率分辨率高的优点.该锁相环采用了带有开...
  • 作者: 吴斌 周玉梅 矫逸书 蒋见花
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1111-1115
    摘要: 设计了一款工作速率为1.25~3.125 Gb/s的连续可调时钟数据恢复(CDR)电路,可以满足多种通信标准的设计需求.CDR采用相位插值型双环路结构,使系统可以根据应用需求对抖动抑制和相位...
  • 作者: 何明华 戴惠明 王仁平 陈传东 黄扬国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1116-1121
    摘要: 设计一个应用于高性能微处理器的快速64位超前进位对数加法器.通过分析超前进位对数加法器原理,提出了改进四进制Kogge-Stone树算法的64位超前进位对数加法器结构,并结合使用多米诺动态逻...
  • 作者: 吴旭峰 方舟 於正强 赵安璞 韩宇龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1122-1125
    摘要: 针对当前我国太阳能利用率的不足,提出了一种基于垂直双轴机械结构的太阳能光电跟踪系统,它利用2DU10系列硅光电池组成四象限光强传感器,通过低功耗单片机AT mega16L智能控制横向纵向步进...
  • 作者: 何庆国 宋学峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1126-1129
    摘要: 针对高的相位噪声指标要求,对取样锁相介质振荡器进行了研究.通过相位噪声分析,明晰了采用介质振荡器与取样锁相技术降低相位噪声的机理,并分别对介质振荡器与锁相环路进行了设计.设计中,应用HFSS...
  • 作者: 李天明 王美兰 赵祖军 郑宏宇 高岭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1130-1133
    摘要: 低温共烧陶瓷(LTCC)技术具有内埋置无源元件、集成度高、可靠性好以及优良的高频特性等特点,成为无线通讯系统中更具影响力与竞争力的技术之一.在了解现有工艺平台的基础上,利用集总参数元件进行带...
  • 作者: 刘明峰 唐徐立 杨帆 陈伦海 黄君凯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1134-1137
    摘要: 提出了一种基于FPGA的TFT-LCD控制器设计方案,通过片外增加显示存储器SDRAM,以及用于储存多种字库和图片的FLASH芯片,片内嵌入精简指令集和图形加速引擎的方法,增强在文字和图形控...
  • 作者: 单晓锋 杨建红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1138-1141
    摘要: 以菲克第二扩散定律为基础,建立湿度传感器器件三明治结构模型,对聚酰亚胺电容型湿度传感器进行全面数值模拟,分析其电场分布、升降湿的动态过程及响应时间,并与实验结果进行对比分析.引入了自由体积理...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年11期
    页码:  1142-1143
    摘要:
  • 作者: 丁杰雄 华晨辉 王宇翔 肖含立 陈栋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2010年12期
    页码:  1145-1148,1173
    摘要: 基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法.提出将SOI(silicon on insula...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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