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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 211. 一种新型合金材料石墨铝的应用前景
    作者： 吴景峰 韩建栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  797-799
    摘要： 介绍一种新型合金材料石墨铝,与传统封装材料进行了比较,表明该材料同时兼有低密度(2.46g/cm3)、高热导率(200W/m·K)、与半导体器件热膨胀系数(7×10-6和4×10-6/K)匹...
  • 212. 国产半导体器件长期贮存试验研究
    作者： 徐立生 童亮 高兆丰 高金环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  800-802
    摘要： 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(H...
  • 213. GaAs集成电路辐照效应试验研究
    作者： 王文君 田国平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  803-805
    摘要： GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研...
  • 214. 噪声系数测量中误差分析和不确定度的评定
    作者： 陈晓华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  806-809
    摘要： 噪声系数是评估电子装备的关键参数之一,噪声系数的高低决定着接收机的性能.介绍了噪声系数的测量方法,分析了在实际测试过程中所有可能的测量误差来源以及可以避免或减小的方法.由于不可避免的测量误差...
  • 215. LTCC工艺技术研究
    作者： 张丽华 张金利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  810-812
    摘要： 叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷...
  • 216. 宽带GaN单片功率放大器研究
    作者： 何庆国 冯志红 刘波 王会智 蔡树军 闫锐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  813-815
    摘要： 基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基...
  • 217. 一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准
    作者： 任国栋 肖剑
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  816-818
    摘要： 设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路.基于CSMC 0.5μm工艺对电...
  • 218. L波段雷达发射机中功率放大器的研制
    作者： 曾孝平 杨凡 熊东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  819-822
    摘要： 针对在全固态雷达发射机的功率放大器设计中,大信号S参数无法获得的情况,采用小信号S参数法和负载牵引法设计了一种工作于1.9～2.0 GHz的3级功率放大器.通过对功率放大器的仿真,得到满足设...
  • 219. DFB激光器振动解调系统温度补偿的设计
    作者： 刘统玉 鞠芳 马昕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  823-826
    摘要： 介绍了DFB激光器结合光纤光栅测量振动信号的原理,并针对系统常见的温度干扰问题提出了采用PID调节DFB波长法和双光栅光强互补进行温度干扰抑制的措施.通过实验验证和比较了这两种方法的特点和效...
  • 220. 低压Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计
    作者： 史琳 王好德 王永顺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  827-830
    摘要： 基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器.采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,...
  • 221. X波段4位数控移相器MMIC研究
    作者： 乔明昌 王宗成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  831-833,851
    摘要： 采用0.25μm GaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数.电路设计采用了高低通滤波器...
  • 222. LTCC片式LC带通滤波器的设计与实现
    作者： 张丽华 赵祖军 高岭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  834-837
    摘要： 介绍了基于LTCC(低温共烧陶瓷)共烧技术和厚膜技术工艺特点进行集成式L和C元件建模、LTCC集成式LC滤波器的设计技术.根据LTCC集成元件体积小寄生参数较大的特点,将常规LC滤波器的电路...
  • 223. 一种采用印制线巴伦技术的1kW高功率放大器
    作者： 杨大宝 王一民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  838-840
    摘要： 介绍了一种P波段1kW微波脉冲功率放大器.功率合成方式采用印制线巴伦,从理论上简单地分析了这种印制线巴伦功率合成技术,阐述了印制线巴伦的应用,并将其实用化.功率器件采用的是具有高增益特性的功...
  • 224. 一种超宽带2路0°功率分配器的设计方法
    作者： 李群春
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  841-844
    摘要： 主要论述了适合目前工艺水平的,频率覆盖范围超过十几个倍频程的一种超宽带2路0°功率分配器的电路设计方案.这种设计方法主要基于Multi-section Wilkinson带状线结构,利用An...
  • 225. 系列微波宽带放大器
    作者： 付丽欣 郝景红 高长征
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  845-848
    摘要： 介绍了反馈式放大器、平衡式放大器及行波式放大器等宽带放大器的工作原理,采用多种宽带电路结构设计制作了系列微波宽带放大器,进行了微波仿真,给出了设计过程及测试结果.频率覆盖2～18 GHz,分...
  • 226. 3 mm二倍频器的设计与实现
    作者： 杨鹏 王姗姗
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  849-851
    摘要： 设计了一种W波段二倍频器,输入为46～48 GHz,输出为92～96 GHz,用来为毫米波接收前端系统提供3 mm本振信号.二倍频器采用微带线制作,且输入和输出端口位于腔体轴向两侧,选择对脊...
  • 227. 特定相位高功率开关的研制
    作者： 吴景峰 李涛 陈宏江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  852-854
    摘要： 为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 d...
  • 228. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  855-859
    摘要：
  • 229. BDD 电化学结合表面活性剂的新型清洗方法
    作者： 刘效岩 刘玉岭 周强 高宝红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  859-862,888
    摘要： 提出了一种新型抛光后的清洗方法,采用掺硼金刚石膜作阳极的电化学方法制备出氧化液,用其去除表面有机污染物,同时配合使用非离子表面活性剂去除表面固体颗粒.用金刚石膜电化学制备出氧化液,克服了单纯...
  • 230. 辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响
    作者： 刘刚 刘梦新 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  863-867
    摘要： 基于抗辐照加固0.35μm PDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响.在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄...
  • 231. 130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
    作者： 毕津顺 海潮和 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  868-870
    摘要： 研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化.结果表明,...
  • 232. 气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
    作者： 徐承福 李世国 杨海东 陈朋 高山 龚谦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  871-873
    摘要： 利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器.有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010 cm-...
  • 233. AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟
    作者： 张明兰 杨瑞霞 王晓亮 胡国新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  874-876,902
    摘要： 用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响.模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿...
  • 234. SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究
    作者： 徐骏 沈海波 王启明 郭亨群 陈坤基
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  877-880,938
    摘要： 采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 5...
  • 235. 电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
    作者： 刘玉岭 刘金玉 檀柏梅 牛新环 边娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  881-884
    摘要： 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清...
  • 236. 对电子产品Al盒体一种腐蚀现象的分析与措施
    作者： 刘红兵 李伟 梁淑燕 韩建栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  885-888
    摘要： 对2A12型Al盒体材料湿热试验后出现的一种腐蚀现象进行了观察和分析.采用X射线光电子能谱分析(XPS)的方法,对发生腐蚀的材料进行了成分分析,并进行了多种不同型号Al材料的比较试验.通过实...
  • 237. 原位法制备通孔AAO模板的原理和工艺
    作者： 何凤英 秦刚 郭光华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  889-893
    摘要： AAO模板是制备纳米材料常用的模板,然而由于阻挡层的存在,制约了其在很多方面的应用.介绍了在不剥离基体的前提下,采用阶梯降压法和反向电压法在原位除去阻挡层,制备通孔的模板.利用场发射扫描电镜...
  • 238. 基于DOE和BP神经网络对Al线键合工艺优化
    作者： 李国元 毕向东 胡俊 谢鑫鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  894-898
    摘要： Al丝超声引线键合工艺被广泛地应用在大功率器件封装中,以实现大功率芯片与引 线框架之间的电互连.Al丝引线键合的质量严重影响功率器件的整体封装水平,对其工艺参数的优化具有重要工业应用意义.利...
  • 239. 富硅氧化硅微盘的制备研究
    作者： 陈曜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  899-902
    摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料.喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值.采...
  • 240. 一种新颖的制备聚合物光电薄膜的旋涂装置
    作者： 张剑平 文尚胜 桂宇畅 王保争 赵宝锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  903-905
    摘要： 设计了一种新颖的制备聚合物光电薄膜的旋涂装置.该设计在传统旋涂装置的基础了,通过增加聚合物溶液载台转盘法向进动功能,改进了聚合物溶液成膜质地疏松、致密度不高问题,减少了成膜过程中产业气泡等缺...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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