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半导体技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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151. 无/低空洞回流焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 较传统的焊接方法,回流焊能高效、重复、无/低空洞地进行大面积电路片的焊接.基于PCB板回流焊接技术分析了回流焊大面积薄电路片的影响因素,结果表明影响焊接的主要因素是工艺气氛、压力、温度曲线等...
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152. 种子辅助化学法合成ZnO纳米棒及其表征刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 低温条件下(95℃),采用ZnO种子辅助化学反应法,成功制备了宏量直、细的ZnO纳米棒;用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等分析手段对纳米棒的结构和形...
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153. 基于MEMS技术的微桥制备与共振频率测量刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 基于扫描探针显微镜(SPM)微机械性能测试的需求,设计了一种可用电容力驱动微桥面振动的新型微桥.通过实验选材和单晶Si的刻蚀研究,提出了一种新的正面刻蚀成桥方法,获得了一种基于湿法刻蚀的低成...
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154. Ka波段16W脉冲功率放大器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： Ka波段毫米波功率放大器的输出功率往往受限于功率合成部分的损耗,其合成器多路之间的隔离度、多级放大模块的级间匹配好坏及整体散热性能是影响整个功放可靠性的重要因素.针对上述毫米波固态功放的特点...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 采用GaAs标准高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一种低噪声放大器.放大器由4级4指双栅槽结构HEMT器件级联构成.0.25μm栅线条的选用保证器件有低的噪声系数和较高的增益.通过在H...
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156. 双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 针对厚膜DC/DC电源的散热问题,基于实测结果,利用有限元法建立了其三维有限元模型,并模拟出实际工作条件下的温度场分布.分析了电源模块中发热元件的温升及相互的热耦合情况,研究了外壳与基板材料...
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158. GaAs MIM电容模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相...
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159. 一种高效宽带数字下变频器的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 针对雷达系统小型化和低功耗的应用需求,提出一种宽带雷达数字接收机中数字下变频器的设计方法.通过采用系统采样频率等于输入信号中心频率4倍的采样技术,结合混频器的特殊实现结构以及半带FIR滤波器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CM...
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161. 投稿要求刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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163. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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164. 国外白光LED技术与产业现状及发展趋势刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 近年来,LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点.从技术和产业两个大的方面介绍了国外LED的发展现状、特点和趋势.介绍了产业化的两种衬底外延技术--蓝宝石衬底和SiC衬底,然后...
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165. 等离子体浸没离子注入技术与设备研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法--等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核...
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166. 模-数-差信号发生器的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 模-数-差信号发生器主要由集成压控振荡器ICL8038构成的函数信号发生器电路、模.数.差变换与输出电路以及电源电路组成.设计是在函数信号发生器和双路直流电源基础上,采取比例放大、串联分压、...
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167. 示波器探头的使用及测量结果的误差分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 示波器探头在电路测试中起着至关重要的作用.探头的使用应不以任何方式影响到信号本身.介绍了示波器探头的定义,并详细论述了实际工作中最常用的无源电压探头的原理、在实际测试中对电路的影响以及使用时...
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168. 基于FPGA的实验室常用芯片测试仪刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 针对电子技术实验无法进行多芯片同时测试的问题,提出了一种基于FPGA和上下位机联动配置技术的智能式多芯片测试方案.该方案实现了同一插槽测试不同芯片和集成电路测试台上多个芯片同时测试的功能.介...
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169. 激光打标机的原理及维修刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 基于激光加5-技术,首先对激光打标的定义进行了阐述,介绍了激光器的种类、控制系统的演变及激光打标的优势,详细说明了激光打标机的工作原理,结合原理对激光打标机的系统组成、激光电源、激光的产生、...
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170. 半导体设备真空与检漏刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱...
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171. 有效提高半导体设备可靠性的故障树分析法刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 通过对故障树分析法的运用,建立了半导体设备系统的故障树.对该故障树进行了定性分析和定量分析,求解出故障树的最小割集.分析了该系统的薄弱环节,并采取补救措施.通过对采取措施前后故障树顶事件发生...
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172. 基于ARM7可控硅参数测试仪设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 针对传统的可控硅模拟测试仪器存在操作不便的缺点,提出了一种基于ARM7及LCD显示的数字化可控硅测试仪设计方案,给出总体设计思路及相关测量电路原理图,并着重介绍系统测试原理及高、低测量电压源...
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173. 频综测试仪(FSTI)设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 频综是微波系统的主要信号发生器,跳频电台、雷达等无线通讯系统都需要频综.随着频综需求量和复杂度的增加,设计高效的测试频综的设备是十分必要的.介绍一种将先进的计算机软硬件技术和仪器自动测量技术...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiC MESFET.优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗.优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对...
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175. SOI DTMOS温度特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 对比研究了20 μm/0.35 μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性.从20～125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了...
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176. 新型NO2薄膜气敏元件的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件.采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构.通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整...
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178. N对Fe掺杂Si半导体性质的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 采用离子注入方法在Si基底上制备了Fe和N共掺Si的薄膜样品.在没有N原子共掺的情况下,样品中掺入的Fe原子与Si反应生成了FeSi2,且薄膜的铁磁性非常微弱;而Fe与N共掺样品中没有发现F...
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179. 掺W对染料敏化TiO2电极光电性质的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 用双靶直流磁控共溅射方法在FTO透明导电玻璃上沉积掺W的TiO2薄膜.采用原子力显微镜、喇曼光谱仪和透射光谱仪对其表面形貌、晶体结构及光学性能进行了分析.研究发现适量的掺w有利于改善TiO2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 首先使用工业型Direct-PECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜.针对Si太阳电池的应用,比较了SiOx薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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