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半导体技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型.模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带...
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32. 双基区大功率快恢复二极管的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 提出了在采用V_B=94ρ_n~(0.7)数学模型设计双基区P~+pinn~+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=W_i/X_m=0.25数学模型的方法.采用Si片扩铂和电子辐...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污.从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理.为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验...
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34. 单晶Si材料表面碱织构实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 在利用单晶Si材料制备太阳电池的过程中,通常利用碱溶液各向异性腐蚀的特性,在表面形成类似于"金字塔"的绒面结构,降低太阳电池表面反射,提高太阳电池的转换效率.实验采用固定反应温度以及反应时间...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 按照实际制作器件的工艺条件和方法,采用不同的Cu引线框架氧化时间,制备了多组无芯片的封装器件,并打磨Cu/EMC界面的样品.然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构观察.剪切实验发现,适当的C...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 简述了金属化学机械抛光的机理.将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率.针对W-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料...
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38. 栅氧化层经时击穿物理模型应用分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 讨论了栅氧化层击穿的统计模型,并对业界广泛应用的1/E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究,指出了各个模型应用的局限性,结合实验数据分析,明确给出了各个模型的应用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 为提高用于手持设备中闪存芯片的可靠性,防止跌落的冲击力对芯片的破坏性伤害,利用试验方法及数理统计分析法对焊垫材料进行研究,为芯片制造商在选择焊垫材料时提供有益的参考.具体针对焊垫涂层为Ni/...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 芯片埋置技术可以提高电子组装密度以及电子产品的可靠性,是微电子封装发展的趋势.建立了聚合物内埋置芯片(CiP)的有限元模型,分析了器件的最大等效应力、剥离应力以及总等效塑性应变,得到该结构容...
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41. 气动增压泵级连及故障分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 基于实际应用,介绍了气动增压泵原理和级连方法.总结了对增压泵的维修经验,阐述了缺少进口增压泵维修资料的现状.分析了增压泵的常见故障和一些特殊故障.采用观测方法测试了增压泵1的P1口压强和增压...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 对于深沟槽DRAM电容这类纵向深度深(超过5μm)但是平面尺寸又很小(小于0.2μm×0.2μm)的结构来说,传统的TEM制样方法,无法满足其细微结构全面观测的需求,此外传统的方法制样也比较...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能.介绍了厚膜微组装DC/DC...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 通过功率LED器件封装工艺技术的改进来降低芯片结温,从而减缓器件光衰速率,延长其预期的工作寿命时间.对用于封装的关键原材料的选取进行了对比实验,指出了采用纳米级材料改进导热可降低热阻,论述了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 利用视频图像序列,获得劈刀的运动轨迹,针对劈刀运动可以视为在某一平面内平移运动和绕第一焊点做圆周运动的组合,将劈刀反向段运动分解为切向运动和法向运动.采用点到弦距离累积法计算平均曲率来描述引...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 自动增益控制电路(AGC)是接收机的重要控制电路之一.具体分析了自动增益控制电路的工作原理以及AGC的分类方式.利用可变增益放大器AD8367和其他模拟电路以及外部检波方式,设计了思维简洁、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 介绍了VGA到TV视频转换的系统原理与总体架构,阐述了视频转换的色彩空间转换、UV减采样、去闪烁与缩放、副载波调制及数字电视编码等原理,应用减采样与过采样算法实现视频采样率转换.基于此结构,...
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49. 微波倍频器的设计与研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要： 针对微波倍频器的实现途径,介绍了阶跃管倍频和三极管倍频的原理,其中三端非线性电阻微波倍频器可实现有增益倍频,且倍频效率高,稳定性好,在现代通信系统中有着广泛的应用前景.应用ADS软件对倍频电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要：
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52. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)....
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54. Si基微波单片集成电路的发展刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展.介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用.基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用化学气相沉积法,不用催化剂,在Si(111)基片上制备了ZnO纳米线.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在100 am左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(00...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 为了提高Si片的抛光速率,采用复合磨粒抛光液对Si片进行化学机械抛光.根据检测到的聚合物微球的Zeta电位,利用DLVO理论分析计算了PS,PMMA和BGF聚合物微球与SiO_2磨粒在抛光液...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离.现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜.借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O_2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响.霍尔测试结果表明,Ag掺杂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年3期页码:摘要： 在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料.玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得.划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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