低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

• 作者: 吴衍 成立 杨宁 王改 王鹏程
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 残余应力 等离子体增强化学气相淀积 晶圆级薄膜封装技术 绝缘膜上硅 微电子机械系统
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 150-153,165
• 页数: 5页
• 分类号: TN405|TN305.94
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.013

摘要

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料.此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形.与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势.将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容.较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
2	杨宁	江苏大学电气与信息工程学院	62	465	13.0	19.0
3	王改	江苏大学电气与信息工程学院	4	6	2.0	2.0
4	吴衍	江苏大学电气与信息工程学院	5	10	2.0	3.0
5	王鹏程	江苏大学电气与信息工程学院	7	13	2.0	3.0