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半导体技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究.研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO2和LPCVD Si3N4膜的介电强度E、介电常数εr、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高.为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得...
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93. 空气隙Cu互连结构热应力史研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 将空气引入Cu导线间形成空气隙,可有效降低等效介电常数Keff,但同时也使互连结构的机械稳定性面临着挑战.利用ANSYS进行了有限元热分析,研究了制备空气隙Cu互连结构的两种主流工艺过程,即...
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94. 纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶.采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究.结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多.目前,抛光后Ge单晶片的几何参数,尤其是表面状态常不能满足使用要求.介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术,开展了抛光压力、抛光盘转速...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比.从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 通过分析键合工艺参数,为25μmAu丝引线键合的应用提供实验依据.采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究.起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 对于高速精密微电子封装操作,必须降低焊头振动.基于ADAMS多体动力学和控制系统分析与优化模块,建立了粘片机焊头机构动力学PID控制模型.通过联合仿真优化,实现了摆臂式焊头机构在满足最大扭矩...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应和负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成电路中重...
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100. 利用高频C-V特性评价CMOS工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构.采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数....
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101. 低噪声高单位增益带宽双极型运放设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路.该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用p...
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102. 基于X射线探测电路的可变增益放大器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 基于512元X射线探测器读出电路,对传统可变增益放大器(VGA)电路的结构和内部运放进行了优化设计,使其具有了改进相关双采样(CDS)的功能,从而使得512元整体电路得到了优化.分析了改进型...
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103. 基于能量恢复的单相功率时钟触发器及其应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 介绍了一种基于能量恢复的单相功率时钟触发器.该触发器的输入信号和输出信号均为方波,因此可以直接与传统的组合逻辑级联.该触发器仅需要14个晶体管,远少于传统触发器中晶体管的数目.仿真结果显示,...
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104. 基于功耗优化的流水线ADC研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 提出了一种使流水线模数转换器功耗最优的系统划分方法.采用Matlab进行模拟,以信噪比(SNR)为约束,得出一定精度条件下,流水线ADC各子级分辨率和各级采样电容缩减因子的不同选取组合;又以...
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105. 可工作于77 K低温下的CMOS缓冲器刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要： 设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5MHz的读出速度下驱动约20pF的电容,可以在低温77K下工作.对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐述,并考虑了低温77...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要：
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107. 产业新闻信息刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视.概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展.从器...
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110. 三结GaAs太阳电池的I-V特性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 作为对聚光特性的补偿,对电池进行暗特性测试,从曲线中提取了几个重要的电学特性参数.搭建了一套CPV测试系统,分析了GaAs电池500倍聚光条件下的输出特性,测得模块的峰值效率为22.24%,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO:Ga(GZO)透明电极的LED芯片.实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极L...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响.利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算.基于100 W LED实验和模拟结果的...
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113. 用于高亮LED的Si键合研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下.利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与A...
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114. 静电驱动光开关的结构设计与驱动电压分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 对静电驱动光开关的驱动结构进行了研究分析,对比分析了采用平面下电极和倾斜下电极两种驱动结构光开关的驱动电压.采用倾斜下电极光开关的pull-in电压较低,在此基础之上,提出了一种双倾斜电极三...
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115. 一种高功率LED射灯的散热设计与实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 以一款MR16 LED射灯为模型,采用ANSYS有限元软件进行热分析.以散热器翅片保持60℃为标准,通过实验与仿真相结合的方法,分析了LED射灯的热流功率、散热器基座厚度、LED芯片间距、对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据.Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射...
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117. 抗辐射光电耦合器试验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数--电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 太阳电池的缺陷往往限制了其光电转化效率和使用寿命.利用光致发光原理获取晶体Si太阳电池的荧光照片,用以诊断其缺陷.外界的光能在Si中被吸收,产生非平衡少数载流子,而一部分载流子的复合是以发光...
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119. 一种新型毫米波矩形波导-微带过渡结构刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 介绍了一种新颖的、适用于毫米波频段的矩形波导-微带过渡电路结构.该过渡电路具有插入损耗低、频带宽、重复性好的特性.其矩形波导E面相对于微带电路面,以及电磁信号传输方向的位置与脊波导-微带过渡...
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120. 非接触半绝缘SiC电阻率测试刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视.其晶片电阻率的测试一直是一个难题.介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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