高击穿电压AlGaN/GaN HEMT电力开关器件研究进展

• 作者: 张明兰 杨瑞霞 王晓亮 胡国新 高志
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 电力电子器件 化合物半导体材料 异质结构
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 417-422
• 分类号: TN386
• 字数: 5055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.001

摘要

作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视.概述了基于AlGaN/GaN HEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展.从器件的结构特征入手,详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题.最后,对该项研究面临的问题及未来的发展趋势做了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明兰	河北工业大学信息工程学院	11	23	3.0	4.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
3	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
4	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
5	高志	河北工业大学信息工程学院	14	38	4.0	6.0