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摘要:
太阳电池的缺陷往往限制了其光电转化效率和使用寿命.利用光致发光原理获取晶体Si太阳电池的荧光照片,用以诊断其缺陷.外界的光能在Si中被吸收,产生非平衡少数载流子,而一部分载流子的复合是以发光形式来完成的.发出的光子可以被灵敏的CCD相机获得,得到太阳电池的辐射复合分布图像.这种光强分布反映出非平衡少数载流子的数目分布,裂痕和缺陷处表现为较低的光致发光强度.这里关注的是单晶Si太阳电池的检验.在室温条件下电池的裂痕和缺陷可以快速予以检测,验证了"光致发光效应"有潜力成为流水线式检测产品的手段.
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文献信息
篇名 光致发光技术在Si基太阳电池缺陷检测中的应用
来源期刊 半导体技术 学科 物理学
关键词 晶体硅太阳电池 光致发光 缺陷 检测
年,卷(期) 2010,(5) 所属期刊栏目 技术专栏(光电器件技术)
研究方向 页码范围 454-457
页数 分类号 O439
字数 2144字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈如龙 3 28 2.0 3.0
2 严婷婷 江南大学理学院 1 24 1.0 1.0
3 李波 1 24 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
晶体硅太阳电池
光致发光
缺陷
检测
研究起点
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
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