基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

• 作者: 胡爱华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 氮化镓基 LED芯片 封装 光通量
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光电器件技术)
• 页码范围: 447-450
• 分类号: TN312.8|TN305.94
• 字数: 3920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.008

摘要

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据.Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化.与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制.产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉.其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡爱华		5	53	3.0	5.0