抗辐射光电耦合器试验研究

• 作者: 武喜龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 电离总剂量 发光二极管 电流传输比 抗辐射
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光电器件技术)
• 页码范围: 451-453
• 分类号: TN15
• 字数: 1808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.009

摘要

针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数--电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计.采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器.在4 mA偏置下,经过300 krad(Si)γ(辐照剂量率为50 rad(Si)/s)电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平.在抗辐射光电耦合器中,采用正装、小发散角结构的发光二极管可进一步提高其抗辐射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武喜龙	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0