厚膜DC/DC电源VDMOS器件失效机理及研究现状

• 作者: 何小琦 章晓文 陈镜波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜微组装DC/DC电源 VDMOS器件 失效机理 可靠性评估
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 176-180
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.020

摘要

整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能.介绍了厚膜微组装DC/DC电源VDMOS器件芯片级、封装级两个层面的失效机理,以及针对这些失效机理的寿命评估方法和研究现状,并根据VDMOS器件在DC/DC电源中的应用,提出两种温度应力下的寿命评估方法.