W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究

• 作者: 刘玉岭 王胜利 肖文明 边征
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: W-Mo合金 化学机械抛光 田口方法 去除速率
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 146-149
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.012

摘要

简述了金属化学机械抛光的机理.将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率.针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法对抛光液pH值、抛光压力和抛光盘转速三个重要因素进行了优化设计,得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光参数.实验分析表明,当抛光液pH值为11,抛光压力为80 kPa,抛光盘转速60 r/min时,可以获得较高的去除速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	肖文明	河北工业大学微电子研究所	4	43	3.0	4.0
4	边征	河北工业大学微电子研究所	2	27	2.0	2.0