SOI DTMOS温度特性研究

• 作者: 毕津顺 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 动态阈值晶体管 温度特性
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 661-663
• 分类号: TN386
• 字数: 1050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.012

摘要

对比研究了20 μm/0.35 μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性.从20～125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%.SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压随温度减小占主导,驱动电流随着温度升高而增大.SOl DTMOS优秀的温度特性,使之非常适合于低压、低功耗、高温应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0