FIB与PEM联用在半导体器件失效分析中的应用

• 作者: 刘抒 叶景良 辛娟娟 韦旎妮 黄红伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 失效定位 测试结构 光发射显微镜 聚焦等离子束
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 703-705,731
• 分类号: TN306
• 字数: 1966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.023

摘要

在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节.光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一.PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷.而聚焦等离子束(FIB)的定点切割和沉积技术在亚微米级半导体工艺失效分析中扮演着越来越重要的作用.介绍了一种联合使用FIB和PEM进行亚微米级缺陷定位的新方法,使得一些单独使用PEM无法完成缺陷定位的案例得以成功解决.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄红伟		2	8	1.0	2.0
2	辛娟娟		1	8	1.0	1.0
3	韦旎妮		1	8	1.0	1.0
4	刘抒		1	8	1.0	1.0
5	叶景良		2	8	1.0	2.0