一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计

• 作者: 史琳 王好德 王永顺
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 带隙基准 输出可调 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 736-739
• 分类号: TN432
• 字数: 2591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.031

摘要

传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值.主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源.电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5 tim CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化.仿真结果表明,带隙基准电压源在-15～80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84 × 10-6/℃,在1.8～5 V电路均可正常工作.流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	王好德	兰州交通大学电子与信息工程学院	4	26	3.0	4.0
3	史琳	兰州交通大学电子与信息工程学院	5	30	4.0	5.0