SiGe HBT器件的研究设计

• 作者: 吴国增 米保良
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管 多晶发射极 特征频率 双层多晶硅
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.014

摘要

研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析.给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到3 000,V_(ceo)为5 V,厄利电压V_A大于10 V,βV_A乘积达到15 000 以上.这种器件对多晶Si发射极As杂质浓度分布十分敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	米保良	聊城大学东昌学院	7	2	1.0	1.0
2	吴国增	聊城大学东昌学院	12	17	2.0	3.0