栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响

• 作者: 曾梁英 李明 胡子信 阮玮玮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧化层 可靠性 高温氧化物沉积 电压扫描
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 90-93
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.021

摘要

栅氧化层变薄的趋势使得栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响成为业界关注的焦点之一.在0.18 μm工艺的基础上,针对6 V器件对应的氧化层,设计了两种不同的栅氧化层生长方式,并对这两种方法生长的栅氧化层进行了电压扫描的可靠性测试验证,并结合失效分析的结果对氧化层质量进行了分析.实验结果表明,将湿氧法(WGO)与高温氧化物沉积(HTO)工艺相结合,极大地提高了栅氧化层厚度的均匀性,增强了产品可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明		9	19	3.0	3.0
2	曾梁英		1	2	1.0	1.0
3	阮玮玮		1	2	1.0	1.0
4	胡子信		1	2	1.0	1.0