SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究

• 作者: 孙伟锋 钱钦松 陈越政
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管 电流增益β n型缓冲层 漂移区长度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.013

摘要

采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p~+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影响,通过理论分析定性的解释了产生上述现象的原因和机理,并且通过实验测试结果进一步验证了分析结论的正确性.其中,n型缓冲层掺杂剂量对电流增益β的影响最为明显,漂移区长度的影响最弱.基本完成了对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β主要工艺影响因素的定性分析,对于SOI-LIGBT的设计有一定的借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	钱钦松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	14	56	5.0	6.0
3	陈越政	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	9	2.0	2.0