用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析

• 作者: Nanver L.K. Popadic Milo(s) 徐翠芹 茹国平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双边结 电容-电压 超浅结
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 39-42,89
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07|TN305.3
• 字数: 584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.009

摘要

研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p~+-n结)的掺杂分布.推导了在已知p~+-n结的电容-电压(C-V_R)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(x_(n0))的情况下计算P区掺杂浓度分布的公式.x_(n0)是计算P区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对x_(n0)的精确提取.用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p~+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-V_R关系.运用常规C-V法,由肖特基结的C-V_R关系可提取出n区掺杂浓度.实现了对x_(n0)的精确提取,其精度达1.8 nm.基于精确的x_(n0),运用双边C-V法提取的p~+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合.