自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型

• 作者: 王静 邓先灿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsMESFET 大信号模型 自升温效应
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 15-18
• 分类号: TN304.2+3|TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.04.004

摘要

分析了GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度,结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正.