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摘要:
以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节.在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨.
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双极型静电感应晶体管
微波高功率双介质栅静电感应晶体管
静电感应晶体管
双介质栅
同步外延
寄生电容
静电感应对通信机房IP数据设备的危害及其防护
静电感应电压
IP数据设备
地线系统
温湿度
环境
台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响
埋栅型SIT
台面刻蚀
深槽刻蚀
先台后槽
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 静电感应晶体管高频功率参数的控制
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 SIT 高频 功率增益 封装
年,卷(期) 1999,(3) 所属期刊栏目 器件研究与制造
研究方向 页码范围 28-32
页数 5页 分类号 TN3
字数 3786字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.03.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李思渊 兰州大学物理系静电感应器件研究所 25 113 7.0 9.0
2 姜岩峰 兰州大学物理系静电感应器件研究所 5 4 1.0 1.0
3 孟雄晖 兰州大学物理系静电感应器件研究所 2 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1978(1)
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  • 二级参考文献(0)
1999(0)
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  • 引证文献(0)
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2003(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
SIT
高频
功率增益
封装
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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