集成铁电电容的制备和研究

• 作者: 姚海平 姜国宝 汤庭鳌 洪晓菁 钟琪 黄维宁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电 薄膜 不挥发 存储器
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 26-29
• 分类号: TN384
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.04.007

摘要

给出了一种在CMOS电路基础上制备集成铁电电容的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤庭鳌	复旦大学电子工程系	28	186	7.0	13.0
2	黄维宁	复旦大学电子工程系	6	24	2.0	4.0
3	姜国宝	复旦大学电子工程系	3	0	0.0	0.0
4	姚海平	复旦大学电子工程系	2	0	0.0	0.0
5	钟琪	复旦大学电子工程系	3	4	1.0	2.0
6	洪晓菁	复旦大学电子工程系	1	0	0.0	0.0