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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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  • 61. 统计逼近下的集成电路成品率优化方法
    作者： 胡建平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  48-51
    摘要： 考察了集成电路统计最优化问题的特殊性,用统计方法逼近合格电路参数可接受域,并以此模型估计参数成品率,进行成品率优化,并结合CMOS集成运放电路的设计验证了方法的可行性.
  • 62. 一种CMOS静态双沿触发器的设计
    作者： 俞军 章倩苓 莫凡
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  52-57
    摘要： 提出一种CMOS静态双沿触发器结构,以单个锁存器构成记忆单元,而由一特殊的时钟模块产生控制信号,使锁存器在时钟上升和下降沿处瞬时导通,从而形成双沿触发的功能.最小的实现方案只用14个管子,模...
  • 63. μA741在低电源下应用的反常现象
    作者： 曾云 曾健平 陈迪平 颜永红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  58-60
    摘要： 分析了μA741在低电源下应用于直放式精密温控电路中时产生超温现象的原因,并提出了有效的解决方法.
  • 64. 基于PSD系列芯片的单片机电路设计
    作者： 王小梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  61-63
    摘要： 简要介绍了如何使用PSD芯片来构成单片机系统的硬件电路.
  • 65. 台湾在世界半导体产业中的地位
    作者： 陈文华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  64
    摘要：
  • 66. 锗硅碳合金的制备及性能研究进展
    作者： 亓震 卢焕明 叶志镇 赵炳辉 黄靖云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  1-5
    摘要： 三元合金SiGeC中处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并同时调节其能带结构.碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响,尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本...
  • 67. 高能质子辐照在制造和修复高速晶闸管中的应用研究
    作者： 何维 卢勇 林理彬 陈军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  6-8
    摘要： 用高能质子辐照代替12MeV电子辐照,制造出KK200A晶闸管.对辐照前后以及退火后的宏观电学参数测量发现,3.9MeV的质子辐照不仅能有效缩短晶闸管的关断时间,提高工作频率,还能有效修复制...
  • 68. 达林顿硅光电晶体管的光放大特性
    作者： 张培宁 李树荣 王海英 郑云光 郭维廉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  9-11
    摘要： 通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度,并用12V、0.25A的小灯泡作为输出发光元件,在26.5μW(即90lx)的红光照射下,器件可输出光电流100mA以上,输出光功率为2000μW.
  • 69. LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究
    作者： 曾宇昕 曾庆城 王水凤 胡力民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  12-15
    摘要： 介绍了绿色、红色发光GaP外延晶片不同发光强度的无损检测方法.分别用短紫外光(≤300nm)和蓝光(488nm)激发方式,在室温下,有效地观测了LED-GaP∶N(掺氮GaP晶片)的多峰PL...
  • 70. 快恢复二极管软度参数的调整
    作者： 张华曹
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  16-18
    摘要： 探讨了快恢复二极管制造过程中,选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性.实验结果说明,选用σp/σn比值较小的复合中心能级可以改善二极管的软度参数.
  • 71. 用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术
    作者： 肖(龙天) 茅盘松 袁瞡
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  19-22
    摘要： 针对在MEMS加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术.研究了低温SDB的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的SDB提高...
  • 72. 直接键合硅片的亲水处理及其表征
    作者： 何进 杨传仁 王新 陈星弼
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  23-25
    摘要： 硅片直接键合(SDB)技术的关键在于硅片表面的亲水处理,本文分析了亲水处理之微观机理.从界(表)面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法,并测量了常用清洗液的接触角大...
  • 73. GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析
    作者： 夏冠群 王嘉宽 盛怀茂 赵建龙 高启安
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  26-29
    摘要： 分析了第一激发态在势垒以上的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声,讨论了它们对探测器性能的影响.
  • 74. CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质
    作者： 杨德仁 罗木昌 阙端麟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  30-33
    摘要： 介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点,并对单晶生长过程中出现的关键问题,如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法.
  • 75. SIMOX材料注F+后的SIMS分析
    作者： 曾健 高剑侠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  34-35
    摘要： 实验中采用三种剂量注入SIMOX(注氧隔离硅)材料中,注入剂量分别为5×1012F+/cm2,5×1013F+/cm2,1×1015F+/cm2,用SIMS技术分析了F在材料中的浓度分布,结...
  • 76. Au-Sn合金电镀
    作者： 王丽丽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  36-37
    摘要： 概述了改善的Au-Sn合金镀液,可以稳定地形成组成为80wt%Au、20wt%Sn的Au-Sn合金镀层,适用于具有抗蚀剂图形的半导体等电子零件上形成Au-Sn合金微细焊料图形.
  • 77. 可用正偏二次击穿测量法验证大功率器件的可靠性
    作者： 陈克明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  38-42
    摘要： 介绍了一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施.
  • 78. 基于单片机的Chebyshev神经网络硬件设计
    作者： 刘祖润 张志飞 曾喆昭 邹阿金
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  43-45
    摘要： 介绍了Chebyshev神经网络简洁的拓扑结构及逼近任意非线性映射的优异特性,并提出了一种神经网络硬件设计方法.
  • 79. 高速可编程定时器电路的设计
    作者： 万天才
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  46-48
    摘要： 介绍了一种高速可编程定时器及其系统设计、电路设计和版图设计.该器件采用3μm pn结隔离工艺制作.经测试其最高工作频率大于1000MHz,在-5.2V电源电压下,功耗电流小于30mA,实现了...
  • 80. 适合计算机接口的数控恒流器件研究
    作者： 盛法生 范雅俊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  49-52
    摘要： 简述了以串行方式输入8位数字信号、最大可控电流为2A的数控恒流器件的设计思想和性能.该器件不仅输出电流可调范围宽、允许工作电压变化范围大、电路接口与TTL兼容,而且体积小、调节方便.
  • 81. 基于射频卡智能开发平台的通道收费机
    作者： 张齐 朱宁西
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  53-55
    摘要： 本文首先分析了射频卡智能开发平台的硬件组成,介绍了接口函数库,该开发平台的特点是不设监控程序,程序空间和数据空间对二次开发用户是全部透明的.然后以通道收费机为例介绍了该平台的使用方法.
  • 82. 家用电器中的大功率部件单片机驱动接口
    作者： 孙政顺 宋吉江 牛轶霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  56-58
    摘要： 简要介绍了家用电器单片机控制所用的基本元件和基本电路,较详细介绍了家用电器中单片机外围电路的功率驱动接口.
  • 83. 半导体厂超净供气系统
    作者： 余京松 梁国仑
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年5期
    页码:  59-63
    摘要： 介绍了集成电路制造用的电子气体中粒子控制规范、供气系统用的材料及其处理技术、供气管路和配件技术、粒子过滤及计数技术.
  • 84. 硅中氧氮扩散研究进展
    作者： 杨德仁 樊瑞新 税琼 阙端麟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  1-6
    摘要： 着重探讨了氧的低温异常扩散现象,研究了氮在高温下扩散速率、扩散机理方面的进展,并对目前存在的一些尚未解决的问题进行了讨论.
  • 85. 封装技术评述
    作者： 刘之景 王正
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  7-9
    摘要： 评述了当前封装技术的特点以及应用,介绍了多芯片组件、突点互连技术、球栅阵列、板上芯片、板上倒装芯片和柔性电路板上芯片技术以及片上引线与引线上芯片技术.
  • 86. 碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究
    作者： 刘莹 廉鹏 李爽 杜金玉 殷涛 沈光地 罗辑 邹德恕 高国
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  10-11
    摘要： 实验研究了碳掺杂GaAs激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响.
  • 87. 双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究
    作者： 何维 卢勇 朱佳政 林理彬 陈军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  12-14
    摘要： 在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管.对KK200A半成品晶闸管进行能量3.5MeV和5.0MeV注量为2.5×1011p/c...
  • 88. 嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析
    作者： 林鸿生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  15-19
    摘要： 应用计算机数值模拟方法计算p+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p+(μc-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电...
  • 89. DLTS技术研究富氮SiOxNy薄介质膜的电学特性
    作者： 章晓文 陈蒲生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  20-23
    摘要： 采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测试了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法低温制备的富氮的SiOxNy栅介质膜的电学特性(界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系),结果表明,采用合...
  • 90. 微波肖特基势垒二极管硅化物工艺技术研究
    作者： 何放 李恒 钟星学
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年6期
    页码:  24-28
    摘要： 对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究.用Ni-Si硅化物作中势垒硅化物,用Ti-Si硅化物作低势垒硅化物.通过设计和工艺实验,得到温度、时间、真空度等最佳工艺技术条件.在保...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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