嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析

• 作者: 林鸿生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 μc-Si:H隙态密度分布 载流子收集
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 15-19
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.06.005

摘要

应用计算机数值模拟方法计算p+(μc-Si:H)/n(c-Si)及p+(μc-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池中的电场强度分布,说明μc-Si/c-Si异质结电池制造中μc-Si:H膜厚选择,进而对嵌入a-Si:H薄层的μc-Si/c-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-Si:H薄层p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μc-Si/c-Si异质结太阳能电池稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0