掺In GaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

• 作者: 谢自力
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 掺In 液封直拉GaAs EL2缺陷 热处理
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.03.008

摘要

比较了掺In和非掺杂LEC-GaAs晶体中的EL2缺陷,分析了掺In量的不同与热处理过程的不同对LEC-GaAs晶体中EL2缺陷的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢自力		11	34	4.0	5.0