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GaAs MESFET热特性电学法测量与分析
GaAs MESFET热特性电学法测量与分析
作者:
何大伟
冯士维
刘成名
吕长志
李道成
谢雪松
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
热阻
电学法
热响应曲线
摘要:
采用快速脉冲技术,研制了GaAs MESFET热特性测试仪,并测量、分析了GaAs MESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线.采用该方法,可在器件正常工作条件下,快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻.
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文献信息
篇名
GaAs MESFET热特性电学法测量与分析
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
热阻
电学法
热响应曲线
年,卷(期)
1999,(1)
所属期刊栏目
器件研究与制造
研究方向
页码范围
32-35
页数
4页
分类号
TN3
字数
2594字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353X.1999.01.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吕长志
北京工业大学电子工程系
60
471
12.0
18.0
2
冯士维
北京工业大学电子工程系
59
438
12.0
18.0
3
谢雪松
北京工业大学电子工程系
66
554
14.0
20.0
4
何大伟
1
3
1.0
1.0
5
刘成名
1
3
1.0
1.0
6
李道成
1
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参考文献(1)
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引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
热阻
电学法
热响应曲线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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