多晶硅发射极晶体管直流特性研究

• 作者: 刘英坤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅发射极 砷注入 电流增益
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.01.007

摘要

研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤		1	0	0.0	0.0