垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究

• 作者: 张浩 李瑞东 段苹 潘志伟 王吉有 王贵生 白志英 邓金祥
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MoS2 C60 薄膜 异质结 导电模型
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 20-26
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.004

摘要

研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性.利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/ C60/ Al结构的器件.对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征.结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王吉有	北京工业大学应用数理学院	36	164	7.0	11.0
2	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
3	张浩	北京工业大学应用数理学院	21	93	5.0	9.0
4	白志英	北京工业大学应用数理学院	5	6	1.0	2.0
5	潘志伟	北京工业大学应用数理学院	6	6	1.0	2.0
6	李瑞东	北京工业大学应用数理学院	3	1	1.0	1.0
7	段苹	北京工业大学应用数理学院	16	50	5.0	6.0
8	王贵生	北京工业大学应用数理学院	4	0	0.0	0.0