用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器

• 作者: 刘德志 王绍权 王鑫 马琳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 温度补偿 低噪声放大器(LNA) SiGe BiCMOS 有源相控阵雷达 X波段
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 104-109
• 页数: 6页
• 分类号: TN433|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.005

摘要

基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA).采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益.使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配.同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化.采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高增益为17 dB,全频带内高低温增益变化0.5dB,噪声系数为1.8 dB@10 GHz;LNA使用1.8V供电,工作电流为14 mA.芯片核心面积为0.50 mm×0.58 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鑫	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	33	4.0	4.0
2	马琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	3	1.0	1.0
3	王绍权	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	2	1.0	1.0
4	刘德志	中国电子科技集团公司第十四研究所	3	2	1.0	1.0