磨料特性对InP晶片集群磁流变抛光效果的影响

• 作者: 孙世孔 廖博涛 路家斌 阎秋生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP 磁流变抛光 磨料 表面质量 材料去除速率
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 32-37,50
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.006

摘要

对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响.实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率最高,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量最好.随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大.当使用质量分数4％、粒径3 μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到2.38 μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到0.84 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎秋生	广东工业大学机电工程学院	146	787	13.0	20.0
2	路家斌	广东工业大学机电工程学院	58	257	9.0	12.0
3	孙世孔	广东工业大学机电工程学院	2	2	1.0	1.0
4	廖博涛	广东工业大学机电工程学院	3	1	1.0	1.0