大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应

• 作者: 刘丰满 曹立强 杨盛玮 赵悦 韩坤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 51-57,72
• 页数: 8页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.009

摘要

等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一.针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性.根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一.实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数.对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹立强	中国科学院大学微电子学院	20	100	4.0	9.0
5	刘丰满	中国科学院大学微电子学院	10	28	3.0	5.0
9	赵悦	中国科学院大学微电子学院	3	45	1.0	3.0
18	杨盛玮		1	0	0.0	0.0
19	韩坤		1	0	0.0	0.0