热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响

• 作者: 张强 钱忠健 陈天 陈晓亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 浅槽隔离(STI) 热应力 漏电流 牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM)
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 135-139
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.010

摘要

浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一.CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响.使用TCAD软件对STI结构应力分布进行了仿真分析,通过分组实验对静态随机存储器(SRAM)芯片静态漏电流进行了测试分析.结果表明,牺牲氧化层工艺引起的热应力是导致SRAM漏电流的主要因素,其工艺温度越高,STI应力减小,芯片的漏电流则越小;而取消牺牲氧化层工艺可以获得更小的应力和漏电流.栅氧化层退火工艺可以有效释放应力并修复应力产生的缺陷,退火温度越高漏电流越小,片内一致性也越好.因此,对热工艺过程进行优化,避免热应力积累,是CMOS集成电路工艺开发过程中要考虑的关键问题之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓亮		2	0	0.0	0.0
2	陈天		3	4	1.0	2.0
3	钱忠健		2	0	0.0	0.0
4	张强		1	0	0.0	0.0