镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

• 作者: 伍泳斌 王晓娟 莫德清 赵英杰 钟福新
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 水热法 氧化亚铜 光电性能 光电压 Cd掺杂
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 43-50
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.008

摘要

采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响.结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8h、反应温度为90℃、CdSO4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu2O薄膜样品.紫外可见吸收光谱(UV-Vis)、X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征结果显示,Cu2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu2O的择优生长面为(111)面,其衍射峰强度比Cu2O明显增强;Cd/Cu2O样品表面与Cu2O对比变得光滑,粒径由Cu2O的1.0～3.0 μm减小到Cd/Cu2O的0.3～0.9μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫德清	桂林电子科技大学生命与环境科学学院	62	382	10.0	17.0
2	钟福新	桂林理工大学化学与生物工程学院	24	63	4.0	7.0
3	王晓娟	桂林理工大学化学与生物工程学院	10	2	1.0	1.0
4	赵英杰	桂林理工大学化学与生物工程学院	2	1	1.0	1.0
5	伍泳斌	桂林理工大学化学与生物工程学院	2	1	1.0	1.0