基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计

• 作者: 何进 常胜 李硕 王豪 薛喆 陈婷 魏恒 黄启俊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光接收机 25 Gbit/s 跨阻放大器(TIA) 限幅放大器(LA) 直流偏移消除
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 87-93
• 页数: 7页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.02.002

摘要

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路.前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分.跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性.限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通路,降低了输出电阻,将输出电容与放大级隔离,从而拓展带宽,提高电路增益.直流偏移消除电路,有效消除了跨阻放大器输出端的直流偏移,提高了电路的稳定性.仿真结果表明,光接收机前端电路跨阻增益为65.4 dBΩ,带宽为25.3 GHz,灵敏度为-16.7 dBm,功耗为163 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王豪	武汉大学物理科学与技术学院	69	158	6.0	8.0
2	常胜	武汉大学物理科学与技术学院	92	343	9.0	13.0
3	黄启俊	武汉大学物理科学与技术学院	128	515	11.0	15.0
4	李硕	武汉大学物理科学与技术学院	27	113	6.0	10.0
5	陈婷	武汉大学物理科学与技术学院	44	162	6.0	11.0
6	何进	武汉大学物理科学与技术学院	34	70	5.0	7.0
7	魏恒	中国电子科技集团公司第五十四研究所	6	8	2.0	2.0
8	薛喆	武汉大学物理科学与技术学院	3	4	1.0	1.0