带有固定延迟时间的IGBT去饱和过流检测电路

• 作者: 俞跃辉 吴灯鹏 徐大伟 徐超 朱弘月 程新红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 固定延迟时间 去饱和(DESAT)过流保护 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 安全性 集成度
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 65-72
• 页数: 8页
• 分类号: TN322.8|TN453
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.011

摘要

提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路.在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁.同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路错误信号清除,IGBT恢复正常工作状态,提高了IGBT功率回路的可靠性与安全性.将固定延时电路集成在IGBT驱动芯片中,提高了系统的集成度.采用UMC 0.6μm高压BCD工艺模型对去饱和过流检测电路进行前仿和后仿.仿真结果表明,采用线性温度补偿方法,基准电路的过流阈值电压典型值为6.97 V,温度系数为19.5× 10-6/℃.IGBT开启后消隐时间为920 ns.在不同工艺角仿真中,后仿固定延迟时间在2.8～4 ms之间变化,典型值为3.3 ms,使功率回路储能元件中的冗余能量充分释放.