GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制

• 作者: 吴洪江 王绍东 赵宇 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 混频器 双平衡 巴伦 变频损耗 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1220-1223
• 页数: 4页
• 分类号: TN74
• 字数: 1587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.12.018

摘要

采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5～3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC～0.8 GHz.该混频器采用了环形二极管和螺旋式巴伦结构,在获得良好的变频损耗与隔离度的同时,显著减小了芯片面积,整体芯片尺寸为1.2 mm × 1.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	赵宇	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	2.0	5.0
4	王绍东	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	78	6.0	8.0