基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命

• 作者: 吕长志 李志国 段毅 马卫东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 退化试验 理想因子 势垒高度 肖特基二极管 恒定电应力温度斜坡法
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.4
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.01.026

摘要

对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程中,SBD的,IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而Rs则缓慢增加.综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的,IR作为失效判据.基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107 h,测试结果与实际预测相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室	57	418	12.0	18.0
2	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室	60	471	12.0	18.0
3	马卫东	北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室	15	132	6.0	11.0
4	段毅	北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室	3	24	2.0	3.0