氧化锌纳米线晶体管的电学特性研究

• 作者: 付晓君 张海英 徐静波
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 纳米线 场效应晶体管 背栅 退火
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 778-781,785
• 分类号: TN304.21|TN386
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.009

摘要

成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析.使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105.在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4 μS,栅氧电容约为0.9fF,器件夹断电压Vth为0.6V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V·s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3.在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	付晓君	中国科学院微电子研究所	5	21	2.0	4.0