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摘要:
研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs 量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响.以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应变理论为基础,分析了GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱导带中子能级与应变的关系.理论上计算了单轴应力下四个QWIP吸收波长与应变的关系.结果表明,E1与E<1>能级之间的吸收波长和E(1)与EF能级之间的吸收波长随应变的增大而减小的幅度比E1与EF能级之间的吸收波长和E(0)与E1能级之间吸收波长随应变的增大减小的幅度大.
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文献信息
篇名 单轴压应变量子阱红外探测器吸收波长的研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 量子阱红外探测器 电子干涉模型 单轴应力 应变 吸收波长
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 116-118
页数 分类号 TN215
字数 2081字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许丽萍 中北大学理学院物理系 62 146 7.0 8.0
2 温廷敦 中北大学理学院物理系 65 169 7.0 10.0
3 张家鑫 中北大学理学院物理系 6 19 2.0 4.0
4 王忠斌 中北大学理学院物理系 6 19 2.0 4.0
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研究主题发展历程
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量子阱红外探测器
电子干涉模型
单轴应力
应变
吸收波长
研究起点
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