氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响

• 作者: 吴娟 吴海波 林世宏 董承远
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟镓锌(IGZO)薄膜 薄膜晶体管(TFT) 磁控溅射 氧分压 光电特性
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 132-136
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文

摘要

通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24 Pa下制备了不同样品.样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X射线光电子能谱(XPS)和四点探针等方法进行了测量.实验结果表明,随着氧分压的增大,IGZO薄膜的沉积速率呈下降趋势,不同氧分压的IGZO薄膜的元素比例(In∶Ga∶Zn)差异不大,在可见光的范围内其氧分压为0 Pa以上时,IGZO薄膜平均透过率均超过80％,阻值随氧分压的增加而增大.制作了不同氧分压以IGZO为沟道层的薄膜晶体管,其迁移率为5.93～9.42cm2·V-1·s-1,阈值电压为3.8～9.2 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董承远	上海交通大学电信与电气工程学院	12	28	4.0	5.0