n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触

• 作者: 刘英坤 杨勇 秦龙 邓建国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 n型4H-SiC Ni/Pt和Ti/Pt 碳空位 比接触电阻
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 128-131
• 分类号: TN305.93
• 语种: 中文

摘要

研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触.在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2× 10-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃.虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触.使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4H-SiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同.实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤		5	10	3.0	3.0
2	秦龙		1	4	1.0	1.0
3	杨勇		1	4	1.0	1.0
4	邓建国		3	7	2.0	2.0