基于GaN HEMT的宽带线性功率放大器

• 作者: 杨大宝 沈林泽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 宽带 线性化 平衡式电路
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 195-199,235
• 页数: 6页
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.03.004

摘要

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了一款工作频率为0.8～1.5 GHz、线性输出功率超过100 W的宽带线性功率放大器.前级功率放大器采用负反馈电路,以提高工作频率带宽和级间匹配性.为改善输出功率的线性化指标,输出级功率放大器采用平衡式电路进行功率合成和匹配,平衡式电路利用90°混合耦合器实现.电路的仿真和优化采用S参数法进行宽带匹配设计.测试结果表明:在0.8～1.5 GHz工作频率内,放大器小信号增益平坦度小于1.3 dB;1 dB增益压缩点输出功率大于100 W,三阶互调失真大于29 dBc,功率附加效率大于40％,实现了宽带、高功率、高效率、高线性度的设计目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨大宝	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	33	4.0	5.0
2	沈林泽	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	2	1.0	1.0