pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响

• 作者: 刘承霖 刘玉岭 刘长宇 武晓玲 王胜利
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂 化学机械抛光 pH值
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.009

摘要

采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率.分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的去除机理和抛光液的pH值及抛光液中各个组分对抛光速率和表面质量的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	刘长宇	河北工业大学微电子研究所	5	46	4.0	5.0
4	武晓玲	河北工业大学微电子研究所	5	31	4.0	5.0
5	刘承霖	河北工业大学微电子研究所	4	31	3.0	4.0