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半导体技术2007年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 目前快速响应市场和降低成本成为半导体企业重点强调的目标,这就需要较短的生产周期和最大限度地使用最少的设备.但实际中,生产周期和设备利用率存在着此消彼长的关系.介绍了一种X-factor理论,...
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182. 一种深亚微米MOSFET高频噪声模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺...
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183. 基于大功率LED的汽车多椭球前照灯设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 传统光源卤素灯泡用于前照灯照明,在节能和寿命上存在不足.研究了使用半导体LED光源和多椭球面反射镜的前照灯设计方法.基于前照灯近光配光标准和LED光源特点,建立了LED前照灯的设计模型,包括...
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184. 紫外辐射ZnO纳米棒的生长及性能刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 用退火法在玻璃、硅片衬底上先生长ZnO籽晶,然后在90℃下在醋酸锌和六亚甲基四胺溶液中生长了直径约为17 nm的ZnO纳米棒.采用X射线衍射仪(XRD)分析了不同衬底上生长的ZnO纳米棒的结...
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185. 大功率半导体激光器高可靠烧结技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 近几年大功率半导体激光器的应用领域越来越广,许多应用领域都要求半导体激光器能够高可靠性工作.工作焊接质量直接影响着大功率半导体激光器的可靠性,焊接缺陷会导致激光器迅速退化.目前国内普遍采用的...
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186. SiC中受主激发态对杂质电离的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用,与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究.发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强,并且温度越高,随掺杂浓度的增加提高得越迅速;促进作用随温度的变化...
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187. 红外测量技术在MOCVD中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点.MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的,但传统红外测量方法无法实现反射率的实时测量,因此造成较大的测量误差,无法准确...
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188. 以太网MAC层IP软核设计方法研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 主要论述了在SOC产品开发中如何设计以太网MAC层IP软核.针对目前以太网MAC层IP软核设计的实际情况,分析了三种常用的IP软核设计方法的优缺点,提出了一种改进的U型IP软核设计方法.并运...
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189. 数字UWB脉冲发生器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 讨论了当前UWB发展的形势.结合传统UWB脉冲发生器设计方法,采用数字设计技术,基于0.18μm工艺标准的CMOS技术,利用组合电路的竞争机制和短矩形脉冲的相位组合原理,设计出了低功耗窄宽度...
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190. 自适应滤波在扩频信号分集接收中的应用研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 使用自适应滤波器完成对扩频信号的扩频码捕获后,传输信道中由于信号衰落造成的多径信号的幅度就可以从自适应滤波器收敛后的系数权值向量上体现出来.根据分集接收的理论分析,依据多径信号的信号幅度值进...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在.E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景.论...
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192. 超高速二相RF脉冲调制器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 在相位编码脉冲压缩雷达中产生超高速的RF调制脉冲是一项关键技术.通常采用PIN开关或GaAs开关来实现,但这种调制器由于受自身机理的影响,开关速度一般很难做到纳秒量级.介绍一种产生二相RF调...
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193. 图像小波增强算法在无损检测中的应用比较刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 射线数字成像是当前射线检测、诊断技术发展的重要方向,图像降噪增强是提高无损检测图像质量的关键.将基于小波变换的图像增强技术引入到射线无损检测(NDT)图像处理中,介绍了基于小波变换的反锐化掩...
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194. 封装内引脚键合过程的参数优化及模拟验证刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 覆晶软带封装(COF)以及带载芯片封装(TCP)是液晶显示驱动芯片普遍采用的封装方式.与传统封装的微焊球等技术不同,COF和TCP封装工艺采用内引脚键合(ILB)技术来实现驱动芯片与外部电路...
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195. BGA器件焊接合格率的预测模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 在表面贴装技术(SMT)大规模生产过程中,如果能够对焊接合格率进行预测,无疑对提高SMT产品的生产率、产品可靠性及成本控制具有重要意义.以球栅阵列(BGA)器件为例,研究SMT焊接合格率的预...
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196. 表面贴装技术手工操作工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 依据表面贴装技术(SMT)工业生产流程、SMT设备原理、表面贴装工程品质要求,提出了简便易行的表面贴装技术手工操作工艺方案,用SMT焊接技术来分析其工艺流程及工艺参数.介绍了表面贴装技术的工...
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197. 激光微加工电热微夹钳设计与FEA仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要： 选用厚度为12.5μm的镍箔,采用激光微加工技术制备尺寸为2.8 mm × 1.4 mm ×0.0125 mm的微夹钳.其每一对级联元件由一系列致动单元组成,而每个致动单元由一个制约器和两个...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要：
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199. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要：
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200. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年8期页码:摘要：
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201. 大规模集成电路相关测试标准的剖析刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 集成电路测试是保证集成电路质量、发展的关键手段.CMOS器件进入超深亚微米阶段,集成电路继续向高集成度、高速度、低功耗发展,使得IC在测试和可测试性设计上都面临新的挑战.重点研究了纯数字信号...
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202. 大功率LED封装散热技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： LED被称为第四代照明光源或者绿色光源,广泛地应用于手机闪光灯、大中尺寸显示器光源模块以及特殊用途照明系统,并将被扩展至一般照明系统设备.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件...
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203. 上海集成电路产业的投融资体系分析与启示刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 上海集成电路产业在内地具有竞争优势,主要原因之一就是营造了良好的投融资体系,包括充分利用国家集成电路产业政策、积极颁布地方级集成电路产业配套政策与措施以及建立了"张江投融资俱乐部",并在产业...
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204. 仿真技术在晶圆制造光刻区派工中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 对光刻区的派工法则进行了分析研究.在传统的先来先服务规则的基础上,根据光刻区的生产特性及实际情况,以最小化完工时间为目标,主要考虑到减少设备的调整时间,提出一种启发式综合派工法则.对某晶圆制...
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205. 硅基PIN光电探测器的设计与模拟刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理.设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及...
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206. 基于扫描链结构重组的低功耗BIST方案刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 设计了一种改进扫描链结构的内建自测试(BIST)方案.该方案将设计测试序列发生器(TPG)中合适的n状态平滑器与扫描链的重新排序结合起来,从而达到低功耗测试且不致丢失故障覆盖率的目的.通过对...
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207. 浮栅器件栅耦合系数修正的探讨刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正.对这些方法进行了比较、分析发现,对于短沟道浮栅器件,会由于参考器件存在明显的DIBL/SIBL效应,使提取的源、漏耦合系...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 采用低温和高温AlN复合缓冲层的方法在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN结构,并进行了应变分析.通过X射线双晶衍射ω-2θ扫描曲线和拟合曲线分析发现,AlN是由两个不同弛豫度的应变缓冲层...
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209. 制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金...
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210. 深亚微米标准单元库的可制造性设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2007年9期页码:摘要： 针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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